【半導体】ST、EV車や太陽光システムなど向けに1200V耐圧のSiCパワーMOSFETを発表
テーマ：太陽光発電システム
2015/03/17 10:14
1 ：Mogtan ★＠転載は禁止 ©2ch.net：2015/02/13(金) 23:45:01.97 ID:???
掲載日：2015年2月13日
http://news.mynavi.jp/news/2015/02/13/060/
STMicroelectronicsは2月10日、広範な用途向けにワイドバンドギャップを有し、高い電力効率と信頼性を特徴とする
SiCパワーMOSFET「SCT20N120」を発表した。
同製品は、1200V耐圧パワーMOSFETで、電気・ハイブリッド自動車用インバータ、太陽光・風力発電システム、
高効率駆動機器、電源、スマートグリッド機器など、消費電力が重視される幅広いアプリケーションに対応する。
具体的には、最高200℃の接合部動作温度範囲で290mΩ以下のオン抵抗(RDS(ON))を実現している他、ターンオフ損失
(Eoff)およびゲート電荷(Qg)が安定しているため、全温度範囲において一貫して高いスイッチング性能が維持される。
これにより、導通損失とスイッチング損失の低減、および超低リーク電流につながるため、放熱設計が簡略化される
とともに、高い信頼性も確保されるという。
さらに、低い電力損失に加え、同等の定格を持つシリコンIGBTの最大3倍のスイッチング周波数を実現している。
このため、外付け部品の小型化、省スペース化、軽量化ならびに部材コストの低減が可能になる。また、優れた
高温度特性を有しており、電気自動車向け電力モジュールの冷却システムの設計も大幅に簡略化できる。
なお、パッケージは熱効率の高い独自のHiP247パッケージを採用している。最高200℃まで信頼性のある動作が
可能であると同時に、業界標準のTO-247パワーパッケージと外形の互換性を有している。現在量産中で、価格は
1000個購入時で約8.50ドル。
<画像>
広範な用途向けにワイドバンドギャップを有し、高い電力効率と信頼性を特徴とするSiCパワーMOSFET「SCT20N120」
http://news.mynavi.jp/news/2015/02/13/060/images/001l.jpg
<参照>
STMicroelectronics Extends Silicon-Carbide MOSFET Family, Bringing Wide-Bandgap Advantages to Even More Applications
http://www.st.com/web/en/news/n3640?s_searchtype=keyword
2 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 00:13:55.80 ID:hO30o4p2
ワイドバンドギャップなんて言ったって、
こんなところに来るようなやつらにゃ
分かるめぇ？ww
3 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 01:18:00.53 ID:+vx+tpTz
電気自動車安くなるの？
4 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 02:33:45.46 ID:l3EHJTxj
290mΩ！？8.5ドル！？
使えるかこんなもん
200℃なんていらね
5 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 06:27:04.29 ID:1Z72iAVD
Tjが200度で動作できること以外にはロームが既に出してるのと大差無いな
6 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 10:00:16.59 ID:V9xGlRZk
高性能インバータの部品？
7 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 10:16:19.39 ID:96fK/VAi
>>4
冷却フィンや冷却風スペースをほとんどなくせる上、ハイブリッド車においてはエンジンの真横におけるってことさ。
8 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 10:33:05.46 ID:PE7rZyF9
1200V耐圧かぁ。足の間のトラッキング対策とかの方が必要になるな
9 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 10:58:33.92 ID:Qs2Jo65A
>>3
安くはならんが少しだけ航続距離が伸びる
10 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 11:44:39.01 ID:lUMZH63N
>>3
電装部品を小さく出来るから載せやすくなる
11 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 22:12:15.61 ID:on/roUCq
290mΩって大きいような気がする
けど、こういう大電力用途だとそういうもんなのかな
12 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/16(月) 09:21:46.98 ID:QjkarZHS
Tjが200度ってシリコンと大して変わらないのでは？
13 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/16(月) 09:42:05.60 ID:YwO2ZCYs
１２００Ｖ耐圧だから２９０ｍΩくらいになるんじゃね？
14 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/16(月) 13:46:15.96 ID:lw2ngJTn
SiCもそろそろ本格的な普及段階か
原発5～8基分減らせればいいよな
15 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/16(月) 16:12:16.49 ID:wH//WcNS
>>13
ロームのはもっと低い
200℃と低ゲート損失がキモなんだろう
けど、これ科学ニュースじゃないわ
ビジネスニュースなら分かるけどさ
16 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/18(水) 04:04:50.82 ID:qcyaTFIs
高電圧小電流で、浪費を抑える算段かな。
ガリウム系は、多少性能がよくても供給に限界があるし照明の用途があるから、スイッチングはSiCを用いたほうがよいと思うな。
17 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/24(火) 00:10:47.21 ID:wnduBEXY
>>16
信頼性が確保できたらな。
絶縁破壊でモールド吹き飛ばすわ、リード線消えちゃうわで使いたくなくなるよｗ
18 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/28(土) 21:48:21.61 ID:hwnV2KLW
>>7
モジュール以外はどうすんだっての。
基板は？半田は？何年もつんだ？
掲載日：2015年2月13日
http://news.mynavi.jp/news/2015/02/13/060/
STMicroelectronicsは2月10日、広範な用途向けにワイドバンドギャップを有し、高い電力効率と信頼性を特徴とする
SiCパワーMOSFET「SCT20N120」を発表した。
同製品は、1200V耐圧パワーMOSFETで、電気・ハイブリッド自動車用インバータ、太陽光・風力発電システム、
高効率駆動機器、電源、スマートグリッド機器など、消費電力が重視される幅広いアプリケーションに対応する。
具体的には、最高200℃の接合部動作温度範囲で290mΩ以下のオン抵抗(RDS(ON))を実現している他、ターンオフ損失
(Eoff)およびゲート電荷(Qg)が安定しているため、全温度範囲において一貫して高いスイッチング性能が維持される。
これにより、導通損失とスイッチング損失の低減、および超低リーク電流につながるため、放熱設計が簡略化される
とともに、高い信頼性も確保されるという。
さらに、低い電力損失に加え、同等の定格を持つシリコンIGBTの最大3倍のスイッチング周波数を実現している。
このため、外付け部品の小型化、省スペース化、軽量化ならびに部材コストの低減が可能になる。また、優れた
高温度特性を有しており、電気自動車向け電力モジュールの冷却システムの設計も大幅に簡略化できる。
なお、パッケージは熱効率の高い独自のHiP247パッケージを採用している。最高200℃まで信頼性のある動作が
可能であると同時に、業界標準のTO-247パワーパッケージと外形の互換性を有している。現在量産中で、価格は
1000個購入時で約8.50ドル。
<画像>
広範な用途向けにワイドバンドギャップを有し、高い電力効率と信頼性を特徴とするSiCパワーMOSFET「SCT20N120」
http://news.mynavi.jp/news/2015/02/13/060/images/001l.jpg
<参照>
STMicroelectronics Extends Silicon-Carbide MOSFET Family, Bringing Wide-Bandgap Advantages to Even More Applications
http://www.st.com/web/en/news/n3640?s_searchtype=keyword
2 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 00:13:55.80 ID:hO30o4p2
ワイドバンドギャップなんて言ったって、
こんなところに来るようなやつらにゃ
分かるめぇ？ww
3 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 01:18:00.53 ID:+vx+tpTz
電気自動車安くなるの？
4 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 02:33:45.46 ID:l3EHJTxj
290mΩ！？8.5ドル！？
使えるかこんなもん
200℃なんていらね
5 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 06:27:04.29 ID:1Z72iAVD
Tjが200度で動作できること以外にはロームが既に出してるのと大差無いな
6 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 10:00:16.59 ID:V9xGlRZk
高性能インバータの部品？
7 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 10:16:19.39 ID:96fK/VAi
>>4
冷却フィンや冷却風スペースをほとんどなくせる上、ハイブリッド車においてはエンジンの真横におけるってことさ。
8 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 10:33:05.46 ID:PE7rZyF9
1200V耐圧かぁ。足の間のトラッキング対策とかの方が必要になるな
9 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 10:58:33.92 ID:Qs2Jo65A
>>3
安くはならんが少しだけ航続距離が伸びる
10 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 11:44:39.01 ID:lUMZH63N
>>3
電装部品を小さく出来るから載せやすくなる
11 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 22:12:15.61 ID:on/roUCq
290mΩって大きいような気がする
けど、こういう大電力用途だとそういうもんなのかな
12 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/16(月) 09:21:46.98 ID:QjkarZHS
Tjが200度ってシリコンと大して変わらないのでは？
13 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/16(月) 09:42:05.60 ID:YwO2ZCYs
１２００Ｖ耐圧だから２９０ｍΩくらいになるんじゃね？
14 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/16(月) 13:46:15.96 ID:lw2ngJTn
SiCもそろそろ本格的な普及段階か
原発5～8基分減らせればいいよな
15 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/16(月) 16:12:16.49 ID:wH//WcNS
>>13
ロームのはもっと低い
200℃と低ゲート損失がキモなんだろう
けど、これ科学ニュースじゃないわ
ビジネスニュースなら分かるけどさ
16 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/18(水) 04:04:50.82 ID:qcyaTFIs
高電圧小電流で、浪費を抑える算段かな。
ガリウム系は、多少性能がよくても供給に限界があるし照明の用途があるから、スイッチングはSiCを用いたほうがよいと思うな。
17 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/24(火) 00:10:47.21 ID:wnduBEXY
>>16
信頼性が確保できたらな。
絶縁破壊でモールド吹き飛ばすわ、リード線消えちゃうわで使いたくなくなるよｗ
18 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/28(土) 21:48:21.61 ID:hwnV2KLW
>>7
モジュール以外はどうすんだっての。
基板は？半田は？何年もつんだ？
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