園芸と太陽光パネルの合わせ技で最先端の園芸ビジネスを目指すブログ

1 ：Mogtan ★＠転載は禁止 ©2ch.net：2015/02/13(金) 23:45:01.97 ID:???
掲載日：2015年2月13日
http://news.mynavi.jp/news/2015/02/13/060/

　STMicroelectronicsは2月10日、広範な用途向けにワイドバンドギャップを有し、高い電力効率と信頼性を特徴とする
SiCパワーMOSFET「SCT20N120」を発表した。

　同製品は、1200V耐圧パワーMOSFETで、電気・ハイブリッド自動車用インバータ、太陽光・風力発電システム、
高効率駆動機器、電源、スマートグリッド機器など、消費電力が重視される幅広いアプリケーションに対応する。
具体的には、最高200℃の接合部動作温度範囲で290mΩ以下のオン抵抗(RDS(ON))を実現している他、ターンオフ損失
(Eoff)およびゲート電荷(Qg)が安定しているため、全温度範囲において一貫して高いスイッチング性能が維持される。
これにより、導通損失とスイッチング損失の低減、および超低リーク電流につながるため、放熱設計が簡略化される
とともに、高い信頼性も確保されるという。

　さらに、低い電力損失に加え、同等の定格を持つシリコンIGBTの最大3倍のスイッチング周波数を実現している。
このため、外付け部品の小型化、省スペース化、軽量化ならびに部材コストの低減が可能になる。また、優れた
高温度特性を有しており、電気自動車向け電力モジュールの冷却システムの設計も大幅に簡略化できる。

　なお、パッケージは熱効率の高い独自のHiP247パッケージを採用している。最高200℃まで信頼性のある動作が
可能であると同時に、業界標準のTO-247パワーパッケージと外形の互換性を有している。現在量産中で、価格は
1000個購入時で約8.50ドル。

<画像>
広範な用途向けにワイドバンドギャップを有し、高い電力効率と信頼性を特徴とするSiCパワーMOSFET「SCT20N120」
http://news.mynavi.jp/news/2015/02/13/060/images/001l.jpg

<参照>
STMicroelectronics Extends Silicon-Carbide MOSFET Family, Bringing Wide-Bandgap Advantages to Even More Applications
http://www.st.com/web/en/news/n3640?s_searchtype=keyword

2 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 00:13:55.80 ID:hO30o4p2
ワイドバンドギャップなんて言ったって、
こんなところに来るようなやつらにゃ
分かるめぇ？ww

3 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 01:18:00.53 ID:+vx+tpTz
電気自動車安くなるの？

4 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 02:33:45.46 ID:l3EHJTxj
290mΩ！？8.5ドル！？
使えるかこんなもん
200℃なんていらね

5 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 06:27:04.29 ID:1Z72iAVD
Tjが200度で動作できること以外にはロームが既に出してるのと大差無いな

6 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 10:00:16.59 ID:V9xGlRZk
高性能インバータの部品？

7 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 10:16:19.39 ID:96fK/VAi
>>4
冷却フィンや冷却風スペースをほとんどなくせる上、ハイブリッド車においてはエンジンの真横におけるってことさ。

8 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 10:33:05.46 ID:PE7rZyF9
1200V耐圧かぁ。足の間のトラッキング対策とかの方が必要になるな

9 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 10:58:33.92 ID:Qs2Jo65A
>>3
安くはならんが少しだけ航続距離が伸びる

10 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 11:44:39.01 ID:lUMZH63N
>>3
電装部品を小さく出来るから載せやすくなる

11 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/14(土) 22:12:15.61 ID:on/roUCq
290mΩって大きいような気がする
けど、こういう大電力用途だとそういうもんなのかな

12 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/16(月) 09:21:46.98 ID:QjkarZHS
Tjが200度ってシリコンと大して変わらないのでは？

13 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/16(月) 09:42:05.60 ID:YwO2ZCYs
１２００Ｖ耐圧だから２９０ｍΩくらいになるんじゃね？

14 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/16(月) 13:46:15.96 ID:lw2ngJTn
SiCもそろそろ本格的な普及段階か
原発5～8基分減らせればいいよな

15 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/16(月) 16:12:16.49 ID:wH//WcNS
>>13
ロームのはもっと低い
200℃と低ゲート損失がキモなんだろう

けど、これ科学ニュースじゃないわ
ビジネスニュースなら分かるけどさ

16 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/18(水) 04:04:50.82 ID:qcyaTFIs
高電圧小電流で、浪費を抑える算段かな。
ガリウム系は、多少性能がよくても供給に限界があるし照明の用途があるから、スイッチングはSiCを用いたほうがよいと思うな。

17 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/24(火) 00:10:47.21 ID:wnduBEXY
>>16
信頼性が確保できたらな。

絶縁破壊でモールド吹き飛ばすわ、リード線消えちゃうわで使いたくなくなるよｗ

18 ：名無しのひみつ＠転載は禁止：2015/02/28(土) 21:48:21.61 ID:hwnV2KLW
>>7
モジュール以外はどうすんだっての。
基板は？半田は？何年もつんだ？